Найменування: NCE80TD60BT
Тип транзизора: IGBT + Diode
Тип керівного каналу: N
Максимальна розсіювана потужність (Pc), W: 390
Гранично-допустима напруга колектор-емітер Vce", V: 600
Максимально допустима напруга іміттер-закрива Vge, V: 30
Максимальний постійний струм колектора Ic @25 °C, A: 160
Напруга насичення колектор-емітер типова VCE(sat), V: 1.7
Максимальна порогова напруга затвора-емітер VGE(th), V: 6
Максимальна температура переходу (Tj), °C: 150
Час наростання типовий (tr), nS: 17
Ємність колектора типова (Cc), pf: 258
Загальний заряд затвора (Qg), typ, nC: 331
Тип корпусу: TO247
Тип транзизора: IGBT + Diode
Тип керівного каналу: N
Максимальна розсіювана потужність (Pc), W: 390
Гранично-допустима напруга колектор-емітер Vce", V: 600
Максимально допустима напруга іміттер-закрива Vge, V: 30
Максимальний постійний струм колектора Ic @25 °C, A: 160
Напруга насичення колектор-емітер типова VCE(sat), V: 1.7
Максимальна порогова напруга затвора-емітер VGE(th), V: 6
Максимальна температура переходу (Tj), °C: 150
Час наростання типовий (tr), nS: 17
Ємність колектора типова (Cc), pf: 258
Загальний заряд затвора (Qg), typ, nC: 331
Тип корпусу: TO247
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | SAT |
Інформація для замовлення
- Ціна: 250 ₴


