Транзистор NCE80TD60BT TO247
250 ₴
- Нет в наличии
Транзистор NCE80TD60BT TO247Нет в наличии
250 ₴
+380 (93) 744-28-09
0961131099- +380 (96) 112-73-230932897551
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
Наименование: NCE80TD60BT
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 390
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 160
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.7
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 17
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 258
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 331
Тип корпуса: TO247
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 390
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 160
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.7
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 17
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 258
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 331
Тип корпуса: TO247
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | SAT |
Информация для заказа
- Цена: 250 ₴