Тип транзизора: MOSFET
Полярність: N
Максимальна розсіювана потужність (Pd): 166 W
Гранично допустима напруга стік-висток (Uds): 55 V
Гранично допустима напруга затвор-висток (Ugs): 20 V
Порогова напруга ввімкнення Ugs (th): 4 V
Максимально допустимий постійний струм стоку (Id): 75 A
Максимальна температура каналу (Tj): 175 °C
Опір стік-виток відкритого транзизора (Rds): 0.011 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Тип транзистора | Польовий |
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Країна виробник | Китай |
Інформація для замовлення
- Ціна: 50 ₴


