Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 166 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 75 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.011 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Тип транзистора | Полевой |
| Производитель | NXP Semiconductors |
| Страна производитель | Китай |
Информация для заказа
- Цена: 50 ₴


